应用电路

常见的利用耗尽型MOSFET实现过流、过压保护的应用方式如下：

耗尽型MOSFET实现过流、过压保护的应用电路

（注：电路示意图中仅以ARK（方舟微）个别型号为例，具体电路的产品选型可咨询文章末联系人，下同。）

01
限流保护
如上图所示电路是利用耗尽型MOSFET的亚阈值电压特性实现过流、过压保护的。当电路工作时，电阻R1两端的电压值（V_R1=-V_GS）不会超出耗尽型MOSFET的阈值电压范围（即0≤V_R1≤|V_GS(OFF)|）。
因此，通过R1的电流也会被限制在一定范围内（I=V_R1/R1）,这样就实现了对电路的限流保护。
02
特性
通常在确定了电路允许通过的最大电流值后，我们可以结合该MOSFET产品规格书中V_GS≤0V部分的（典型）输出特性曲线，根据“MOSFET能够通过的最大电流值约等于特定栅-源电压下对应输出曲线的饱和电流值”这一特性，来估算R1的设定值。
03
注意事项
需要注意的是，该电路输入电压的最大值（包括浪涌信号）不能超过所用MOSFET的击穿电压值。
此外，MOSFET的电流在达到饱和以后，额外的输入电压会全部降落到MOSFET的D-S两端（实现过压保护），因此需要确保MOSFET工作时的耗散功率不能超过其额定功率（应保留一定安全余量）。

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