特点

1、N沟道耗尽型（常开）

2、ESD能力加强

3、低导通电阻：2Ω（Max）@25℃

4、高耐压：450V

应用

1、音频放大器

2、过压保护器

3、电流调节器

4、转换器

5、恒流源

6、常闭开关

方

简易恒流源

案

如下图所示，仅使用一颗耗尽型MOSFET+电阻R，即可构成简易恒流源，就能限制流过负载回路的电流大小，还可有效抑制电路浪涌，为负载回路提供过流保护。

电路可通过的最大电流I_D和DMD4523E的阈值电压V_GS(OFF)及R的阻值相关，近似为I_D≈|V_GS(OFF)|/R，其中V_GS(OFF)为DMD4523E在对应电流条件（I_D）下的阈值电压。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单、成本低。

方

过压保护及瞬态浪涌抑制

案

该电路通过选择合适的稳压二极管VD，即可得到稳定的输出电压V_OUT。输出电压V_OUT和稳压二极管的稳压值V_Z及DMD4523E的阈值电压V_GS(OFF)有关，可近似为V_OUT≈V_Z+|V_GS(OFF)|，其V_GS(OFF)为DMD4523E在对应电流条件（I_D）下的阈值电压。

DMD4523E系列产品可工作在较高电压下，且DMD4523E响应速度快，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。

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DMMOS®系列产品说明 - 关于ARK(方舟微)

ARK(方舟微)成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、特殊型增强型MOSFET、高压集成稳压器、过流过压保护器、无源瞬态抑制器、集成功率器件、光继电器、SiC FET等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

公司创始人具有多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队组成，研发人员大多具有十年以上功率半导体行业研发经验。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。

    ARK(方舟微)的产品可直接替代Infineon、IXYS、Microchip等公司的器件，例如：DN3545、DN2540、DN2530、LND150N8、BSS169、BSS159、BSS139、BSS129、IRF6216、CPC3909、CPC5602、IXTA6N50D2、IXTY1N6R100D2、TC6320等。ARK(方舟微)可根据客户需求，提供特殊参数的器件定制开发服务，如：PMOS、N+P双沟道MOS、中压大电阻MOS等。

ARK(方舟微)产品包括工业类和消费类两条产品线，自主研发的DMMOS^®系列产品，BV_DSX从60V-1200V；R_DS(ON)从0.08Ω-700Ω，覆盖全系列耗尽型MOSFET。

产品以高品质、高性能对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户认可并广泛采用。