01

选型推荐

耗尽型 MOSFET 的选型，关键看 “击穿电压（BV_DSX）、导通电阻（R_DS(on)）、饱和电流（I_DSS）、封装大小” 四大维度；这两款产品针对不同低压场景做了精准差异化，先看核心参数对比：

02

产品介绍

产品外观

应用领域

▲ 线性稳压器与恒流源：作在线性区，可作为线性稳压器（LDO）的调整管或精密的恒流源。为LED驱动、电池充电、传感器供电提供简单、廉价且噪声极低的电源解决方案。

▲ 固态继电器 (SSR) 与功率开关：利用其耗尽型（Normally-On）特性，实现无机械触点的常闭型功率开关。通过光耦或其它隔离驱动电路控制栅极电压，即可实现主功率回路的通断。

▲ 电池供电系统：对于电池供电的设备，如便携式电子产品、电动汽车等，DMX0652E 能够在保证电路正常工作的前提下，降低功耗，延长电池续航时间。

▲ 电点火模块与脉冲应用：能够快速通过大脉冲电流，非常适合用于容性负载的放电或感性负载的开关。在汽车电子可用于发动机点火线圈、燃油喷射器驱动；在安防监控可用于驱动红外LED阵列产生高强度脉冲等。

03

应用方案

线性稳压器与恒流源应用方案

图3显示了使用耗尽场效应管和电阻器的恒流源。直接利用耗尽型MOSFET的亚阈特性实现限流：当耗尽型MOSFET工作在亚阈状态（V_G＜V_S）时，其亚阈电压V_GS存在特定范围，即V_GS(off) ＜ V_GS ＜ 0V，利用V_GS电压存在确定范围的特点可直接实现过流保护与恒流电路功能。恒流与过流保护电路中满足：I_(MAX.) ≈ |V_GS(off)| / R，其中V_GS(off)与MOSFET流过的电流大小有唯一对应关系。可变电阻器可用于将电流设置为特定值。

恒流源可以产生与电压无关的偏置电流还能以恒定速率给电容器充电，产生用于定时目的的线性斜坡恒流电路可用作限流器如图3所示。以及当电流低于电流限值时，如图3所示电路也表现得像一个值为1.01kΩ的电阻器。

斜坡发生器应用方案

     

     高压扫描和自动测试设备等应用需要输出电压与时间呈线性关系的高压斜坡。图4利用一个DMX0652E(Q1)设计了一个电压斜坡发生器电路。

将Q1配置为恒流源，为电容C1充电，R1提供负反馈以调节和设置所需的电流值。恒流源对电容器C1充电，并在电容器上产生电压斜坡，即V_OUT。通过R2将电容放电到地，可以用TTL或CMOS控制信号接通Q2以复位斜坡电压。电阻R2用于限制Q2的放电电流，使其在SOA额定值内运行。

电容器C1值应足够小，以减少充电和放电更大的能量，并足够大，以使输出负载和杂散电容不会引入明显的误差。C1选择为10nF。

04

典型参数及实测

典型参数特性

从 DMX0652E 的输出特性曲线可以看出，在不同的栅源电压下，漏源电流与漏源电压之间的关系。这对于工程师设计电路时，确定 DMX0652E 在不同工作状态下的性能表现具有重要意义。例如，在设计电源转换器时，可根据输出特性曲线选择合适的工作区域，以实现高效的电能转换。同时，其输入电容、输出电容等参数也会影响电路的高频性能，工程师在设计高频电路时需充分考虑这些参数的影响。

产品参数实测

05

知识小茶馆

为什么MOSFET的ESD能力值得被关注？

ESD（Electrostatic Discharge，静电放电） 是指静电荷在不同电位的物体之间突然、快速的转移。对于MOSFET而言，ESD是其最主要的潜在危害之一，是指在生产、运输、装配和测试过程中，人体或设备所携带的静电通过MOSFET的引脚进行泄放，从而可能对器件造成损伤或彻底损坏的现象。

MOSFET是绝缘栅器件，栅极通过薄氧化层和其他电极之间绝缘。如果栅氧化层有较高的电压，会造成氧化层击穿，使器件永久损坏。特别是外界各种杂散电荷会在栅极上积累，由于MOS晶体管的栅电容通常较小，只要少量的电荷就能形成很大的等效栅压，引起器件和电路失效，因此自身带有静电保护功能的MOSFET在应用中特别重要。

在对MOSFET进行了ESD保护设计后，其G-S阻抗会相对降低一些，但通常仍会大于107Ω（因ESD能力不同而存在差异）。但是当MOSFET发生ESD失效后，其G-S阻抗通常会明显降低，使用万用表测量时可测得的阻抗明显低于MΩ级，甚至G-S近似短路，因此通常我们可以采用这种测量方式进行初步判断（同时与合格品的参数进行对比）。

根据芯片大小不同及ESD设计结构差异，MOSFET的ESD能力会存在强弱差异，另外具有ESD保护设计的MOSFET，在出现超出其设计能力的ESD时，同样会发生失效。