前言

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近年来，PD快充领域正迎来新一轮材料技术迭代的窗口期：SiC MOSFET凭借其材料优势，开始成为高功率快充方案的新兴选择。这一趋势背后是市场对更高效率、更高功率密度以及更高可靠性的持续追求。而SiC方案的大规模应用，离不开一颗关键的器件——能为PWM IC提供稳定18V以上供电的高压LDO。

ARK（方舟微）针对SiC快充应用需求，全新推出DMZ1318E：一款耐压130V、输出电压典型值20V（5mA带载时大于18V）的高压LDO，采用SOT-23、SOT-89封装，为PD快充SiC方案提供了"即插即用"的供电解决方案。

SiC在快充领域的应用潜力

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在30W及以上的PD快充市场中，SiC MOSFET正凭借其独特的材料优势逐步进入电源设计工程师的视野。这一趋势并非偶然，而是由SiC的物理特性与特定应用场景需求共同推动的。

更高的耐压与雷击耐受能力是SiC的显著优势之一。其击穿电压可达1500V以上，远高于GaN的800V极限，这使得基于SiC的电源方案在面对雷击浪涌时具有天然的抗冲击裕量，能够更轻松地通过严苛的安规测试，尤其适合对可靠性要求较高的适配器应用场景。

卓越的热性能与高温稳定性同样关键。SiC的热导率约为GaN的四倍，且其导通电阻在高温环境下变化极小。这意味着在小体积、密闭的PD快充外壳内，SiC MOSFET能够保持稳定的效率，不会因温升导致内阻激增，从而确保满载输出不降频，为追求稳定性的品牌方案带来差异化优势。

产业成熟度提升与成本下探正在加速SiC的普及进程。据市场研究机构Yole Group数据，全球SiC功率半导体市场规模预计从2024年的约20亿美元增长至2029年的近100亿美元，年复合增长率超过25%。随着晶圆尺寸从6英寸向8英寸过渡，单位成本有望降低30%-50%。加之SiC的开关频率对于百瓦级快充已完全足够，且其产能释放正推动价格进入消费电子可接受区间，SiC从新能源汽车、光伏等工业领域向消费电子市场渗透的窗口期已经开启。

SiC应用的设计要点

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SiC应用的设计要点：18V以上驱动电压带来的供电需求

SiC MOSFET在快充方案中推广应用，首先需要满足其特殊的驱动要求。与GaN的6-12V驱动电压不同，主流650V/1200V SiC MOSFET的推荐栅极驱动电压为+18V～+20V。若驱动电压不足，器件的导通电阻会显著增加，导致导通损耗上升、效率下降，难以充分发挥SiC的低阻特性。

在PD快充的典型初级侧架构中，PWM IC通常由辅助绕组经LDO稳压后供电。当采用SiC方案时，这颗LDO需要满足两个基本条件：一是具备足够的耐压裕量（通常为100V以上）；二是输出电压需稳定在18V以上，以确保SiC MOSFET被充分驱动。

因此，一款输入耐压100-150V、输出18V以上的高压LDO，成为SiC快充方案开发中需要配套考虑的关键器件之一。

专为SiC方案搭配的LDO

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面对SiC方案对18V以上驱动电压的供电需求，ARK（方舟微）依托其在超高阈值UltraVt®耗尽型MOSFET（高压LDO）领域的多年积累，专门推出了DMZ1318E这款产品。

DMZ1318E核心特点如下：

▲ 输出电压精准适配SiC驱动窗口：DMZ1318E在5mA带载条件下，输出电压典型值为20V，且确保大于18V。这一电压范围覆盖了主流SiC MOSFET的推荐驱动电压窗口（18V-20V），有助于SiC功率管充分开启，发挥其低导通电阻特性。

▲ 耐压余量充足：器件耐压达130V，在PD快充初级侧应用中可应对电网波动及启动瞬态等工况，为后级PWM IC提供稳定供电。

▲ 外围电路简洁、静态功耗低：作为DMZ1015E/DMZ1315E系列的同系列产品，DMZ1318E继承了简洁的外围电路设计、可靠的稳压特性以及低静态功耗特征。对于已熟悉DMZ1015E等产品的工程师而言，可减少SiC方案开发中的重复设计工作。

▲ 封装选项灵活：提供SOT-23（适用于紧凑型快充设计）和SOT-89（适用于需加强散热的场景）两种封装，可适配不同功率等级PD产品的结构需求。

DMZ1318E典型应用方案如下：

总结

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随着PD快充向更高功率密度、更小体积、更高可靠性方向发展，SiC MOSFET的应用潜力正在显现。市场研究显示，SiC功率半导体在消费电子领域的渗透逐步推进，尤其是在对热性能与可靠性有较高要求的快充适配器场景中，SiC方案正受到更多关注。

在SiC方案开发中，驱动供电环节是需要配套考虑的设计要点之一。ARK（方舟微）DMZ1318E的推出，凭借130V耐压、20V典型输出以及简洁的外围设计，恰好为SiC快充方案的辅助绕组供电方案给出了最优的回应，可助力工程师更便捷地完成SiC器件的驱动供电设计。

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